SK Hynix выпустила тестовые образцы памяти TLC 4D NAND с рекордным количеством слоёв

SK Hynix испoльзуeт тeрмин «4D NAND» oсoзнaннo, нo прeдупрeждaeт, чтo oн призвaн oтрaжaть кoмпoнoвoчныe прeимущeствa пo срaвнeнию с 3D NAND. В трeтьeм поколении такая видеопамять стала 176-слойной, и разработчики контроллеров еще получили образцы 512-гигабитных чипов. Массовое подразделение памяти 4D NAND нового поколения начнётся в середине следующего возраст.

Новая память обеспечивает выигрыш скорости передачи информации бери операциях чтения на 20   %. В середине следующего возраст начнётся массовое производство 176-слойных чипов памяти как TLC 4D NAND для мобильных устройств, предельная поспешность чтения у них вырастет получи 70   %, записи — нате 35   %. В дальнейшем подобные микросхемы памяти найдут практика в твердотельных накопителях потребительского и корпоративного классов. Следующая задание SK Hynix — выпуск терабитных микросхем TLC 4D NAND с 176-слойной компоновкой.

Микросхемы TLC нового поколения сочетают технологию затвора с ловушкой заряда и компоновку с размещением периферийных цепей почти массивом ячеек памяти. Впервинку представленная в 2018 году в 96-слойном варианте, каста память в третьем поколении предлагает 176 слоёв. Объединение словам SK Hynix, такая воспоминания обеспечивает самый высокий размер выработки микросхем с одной кремниевой пластины, повышая удельную отдача производства на 35 % до сравнению с памятью предыдущего поколения. Издержки производства памяти тоже снижается, как будто обеспечивает корейской компании положительный момент по сравнению с конкурентами.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.